Alterne os prontuários MRAM para 5G

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A Everspin coloca o Togam MRAM de 32 Mb no mercado e mantém sua posição como o principal player de Toggle MRAM.

TORONTO – O potencial da MRAM de maior densidade como memória emergente – para substituir empresas como DRAM e flash – geralmente ofusca onde já está substituindo com sucesso as tecnologias estabelecidas na forma de Alternar MRAM.

Para a Everspin Technologies, o sucesso da Toggle MRAM está ajudando a impulsionar suas ambições em outras áreas de produtos, e a empresa anunciou recentemente seu novo MRAM Toggle de 32 Mb, que dobra a capacidade de sua solução atual. Ele foi projetado para permitir aplicativos críticos que precisam de uma opção de maior densidade, como armazenamento de configurações, configuração e registro de dados em sistemas embarcados e dispositivos de Internet das Coisas (IoT), além de antecipar os requisitos de dispositivos impulsionados pelas redes 5G, disse Troy Winslow, Everspin. vice-presidente de vendas globais.

Então, por que não deixar os clientes usarem dois dispositivos de 16 Mb?

Ele disse que o novo Toggle MRAM de maior capacidade responde às necessidades dos clientes que estavam colocando vários 16 megas em suas placas e, no processo, acrescentando complexidade e ocupando mais espaço. Alternar o MRAM em geral oferece simplicidade, especialmente quando substitui uma combinação de SRAM e EEPROM, que Winslow descreve como uma "correção do kluge", principalmente quando uma bateria baseada em produtos químicos é adicionada à SRAM. "Não há realmente nenhuma comparação do ponto de vista da simplicidade do design, bem como da confiabilidade do dispositivo a longo prazo."

O novo MRAM Toggle de 32 Mb da Everspin visa atender aos crescentes requisitos de armazenamento para configurações, configuração e registro de dados em sistemas embarcados, dispositivos Internet of Things (IoT) e dispositivos de rede 5G. (Fonte: Everspin Technologies)

E embora o 5G ainda esteja aumentando e ainda no modo de teste, a Everspin espera que ele exploda do ponto de vista de um dispositivo conectado nos próximos dois anos e estará impulsionando as necessidades de capacidade de dados e código desses dispositivos, disse Winslow. "Apenas o fluxo de dados desses dispositivos exigirá mais e mais persistência para perda de energia e registro de dados".

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O mais recente Toggle MRAM da Everspin foi testado com clientes nos mercados de jogos, industrial, militar e aeroespacial – todos aproveitando a resistência ilimitada do ciclo do produto para leituras e gravações em uma variedade de temperaturas que variam de -40 ° C a + 125 ° C.

Além da maior capacidade, o Toggle MRAM de 32 Mb mantém as rápidas velocidades de acesso de leitura e gravação e retenção de dados de 20 anos disponíveis em todos os dispositivos MRAM Toggle da Everspin, disse Winslow, e a empresa também está lançando novos 2 Mb e 8 Mb Alterna para clientes com requisitos de capacidade de dados mais baixos para complementar dispositivos existentes de 1 Mb, 4 Mb e 16 Mb, todos com interfaces serial e paralela e várias opções populares de empacotamento.

Ele disse que grande parte da conversa do setor tem sido sobre STT no MRAM de maior densidade, enquanto o esquecimento de Toggle já existe há algum tempo. A Everspin entrou em produção pela primeira vez em 2006 e possui um portfólio muito amplo para uma empresa com uma base de clientes tão grande e diversificada. "Ele fornece a receita para realizarmos pesquisa e desenvolvimento em STT mais avançado e de maior densidade".

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Jim Handy, analista principal da Objective Analysis, disse que faz sentido que a Everspin esteja capitalizando algo que já fez no momento em que a empresa poderia usar receita extra. "É fácil e barato fabricar derivativos de peças que já são vendidas em grandes volumes." No entanto, ele não acha que os clientes se importam muito com o Toggle MRAM ou STT se a peça fizer seu trabalho.

Handy disse que o principal uso do Toggle MRAM hoje é substituir a combinação SRAM-bateria em sistemas em que os dados precisam ser mantidos – mesmo se a energia for desligada ou falhar. Também é um ótimo substituto para o flash SRAM ou NOR em aplicativos expostos a muita radiação, especialmente em satélites. "A radiação retira a carga das tecnologias atuais de hoje".

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Atualmente, a Everspin é a única empresa que vende chips MRAM discretos e independentes e produz comercialmente o Toggle MRAM desde 2006. (Fonte: Everspin Technologies)

O STT MRAM foi desenvolvido para permitir que o MRAM dimensione menor do que o Toggle jamais pôde. As peças antigas de menor densidade da Everspin são construídas usando o MRAM Toggle de 130 nm, disse Handy, enquanto as peças mais recentes de 90 nm da empresa usam STT. "Para o usuário, é praticamente a mesma coisa, mas é mais barato." Ele disse que a principal atualização notável dos mais recentes produtos Toggle MRAM da empresa são as densidades.

A MRAM ganhou muito interesse das fundições porque elas não podem fazer o flash NOR menor que 28 nm e seus clientes estão procurando um substituto, disse Handy, e Everspin está ajudando essas fundições a criar a MRAM em seus processos lógicos CMOS padrão. "Quanto mais chips forem fabricados com MRAM, mais eficiente será a produção de MRAM e mais barato ficará", disse ele. "Tudo isso se alimenta porque quanto mais barato fica, mais será vendido".

Embora o STT MRAM possa ter uma escala menor que o Toggle – e a redução contínua do processo permitirá que o custo do MRAM caia abaixo do da SRAM, o flash NAND e possivelmente o DRAM – NAND provavelmente permanecerá mais barato que o MRAM por muito tempo, disse Handy. Enquanto isso, Everspin não é apenas o principal player de MRAM Toggle, mas a empresa é a única que vende chips MRAM independentes e discretos, tanto Toggle quanto spin. "Outros esperam recuperar o atraso, principalmente o Spin Memory e o Avalanche."

Esses anos Memórias Emergentes O relatório, que Handy é co-autor de Thomas Coughlin, prevê que as memórias emergentes, incluindo a MRAM, poderão atingir US $ 20 bilhões em receitas até 2029.

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