Mordidas Elétricas April3

Esta semana no PowerBites (3 / 30-4 / 3)

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Visite a Conferência de Eletrônica de Potência da APEC no Cyberspace!

Faz apenas um pouco mais de duas semanas desde que o Conferência de Eletrônica de Potência Aplicada (APEC 2020) foi cancelada (alguns dias antes da abertura das portas), mas os organizadores do evento já fizeram esforços heróicos para começar a colocar on-line a maior parte do conteúdo das sessões da conferência por meio de um aplicativo especial de portal da web chamado “EventScribe. ” Infelizmente, atualmente, esse material está disponível apenas para as pessoas que se inscreveram (e pagaram) para participar do evento. Estou fazendo pesquisas para verificar se, à luz de circunstâncias extraordinárias, pelo menos parte do material pode ser disponibilizada ao restante da comunidade de tecnologia de energia.

Enquanto isso, várias empresas estão convidando todos a vir ver o que pretendiam compartilhar na APEC visitando um de seus “ambientes de exibição virtual” ou sites mais convencionais, criados especialmente para mostrar seus últimos desenvolvimentos. Até agora, quatro empresas fizeram check-in para anunciar suas exposições cibernéticas, embora eu espere que haja pelo menos mais algumas no futuro próximo. Para obter mais detalhes, consulte o artigo “Saudações do Virtual APEC” ou siga os links para as exposições cibernéticas criadas pela Power Integrations, Texas Instruments, Infineon e GaN Systems.

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Controlador de retificação síncrona oferece maior eficiência e menor lista técnica

O controlador de retificação síncrona do lado secundário STMicroelectronics SRK1001 apresenta recursos adaptativos que cortam os custos da lista de materiais, minimizam o tamanho do circuito e simplificam o design de adaptadores de energia, carregadores, tomadas USB Power Delivery e fontes de alimentação de iluminação com base em topologias flyback. O controlador pode ser usado para fontes com tensões de saída de até 24 V, operando no modo quase-ressonante (QR) ou operação de frequência fixa mista / contínua em modo de corrente contínua (CCM / DCM) em até 300 kHz.

Projetado para ligação rápida com atraso mínimo, o SRK1001 usa a lógica de desligamento adaptável para maximizar o tempo de condução do MOSFET de retificação síncrona para obter eficiência ideal com perdas mínimas de comutação. Seu circuito integrado de compensação elimina os efeitos de indutância parasitária sem a necessidade de componentes discretos adicionais. Também garante alta eficiência em cargas leves, entrando no modo de baixo consumo quando a retificação síncrona não é mais benéfica. Adequado para aplicações com tensão de saída de até 24 V e capaz de manter a regulação até 2 V no CCM, o SRK1001 mantém uma ampla faixa de tensão de alimentação de 4,5 a 32 V. A saída pode diminuir até 1 A e a fonte até 0,6 A para controlar o portão do MOSFET de retificação síncrona de canal N externo.

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O SRK1001 está em produção agora, embalado como um dispositivo SO8 de 8 pinos, a partir de US $ 0,33 para pedidos de 1.000 peças. Por favor, visite www.st.com/srk1001-pr para mais informações.

Os módulos de potência SiC no nível do sistema apresentam maior eficiência, tamanho e confiabilidade

A Microchip Technology Inc. expandiu seu portfólio de módulos de potência de carboneto de silício (SiC) com uma nova família de produtos mais leves, menores e mais eficientes. Os módulos de potência baseados em diodo de barreira Schottky (SBD) comercialmente qualificados integram vários diodos SiC em uma variedade de materiais de substrato e placa de base para melhorar a eficiência de comutação, alta confiabilidade e menor área de cobertura do sistema. Os módulos estão disponíveis para aplicações de 700, 1.200 e 1.700 V em topologias que incluem diodo duplo, ponte completa, perna de fase, cátodo comum duplo e ponte trifásica.

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Os módulos SBD oferecem excelente desempenho de avalanche que permite que os projetistas de sistemas reduzam a necessidade de circuitos amortecedores e estabilidade do diodo do corpo que permite que os projetos usem o diodo do corpo interno dos dispositivos sem degradação a longo prazo. O portfólio completo de SiC é suportado por uma variedade de modelos SiC Spice, projetos de referência de placas de driver SiC e um design de referência para um circuito de correção de fator de potência (PFC) de Viena de 30 kW trifásico. A versão mais recente inclui a família AgileSwitch da Microchip de drivers de portas digitais programáveis ​​para agilizar ainda mais o processo de desenvolvimento. Eles estão disponíveis em volumes de produção em diversas opções de moldes e embalagens. Para informações adicionais, visite o site do portfólio de produtos SiC da Microchip.

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Microchip Web

O driver SiC MOSFET atinge a qualificação automotiva AEC-Q100

A Power Integrations anunciou que seus dispositivos SIC118xKQ e SIC1181KQ (750 V) SCALE-iDriver agora são certificados pela AEC-Q100 para uso automotivo. Esses drivers de porta monocanal de alta eficiência para MOSFETs de carboneto de silício (SiC) podem ser configurados para suportar os requisitos de tensão de acionamento de porta dos MOSFETs de SiC comumente usados ​​e apresentam sofisticados recursos de segurança e proteção.

Ambos os dispositivos são otimizados para acionar SiC MOSFETs em aplicações automotivas, exibindo saída trilho a trilho, velocidade de comutação rápida de portão, tensão de alimentação unipolar, gerenciamento integrado de energia e tensão e isolamento reforçado. Recursos críticos de segurança incluem VDS monitoramento, leitura SENSE, bloqueio de subtensão primário e secundário (UVLO), acionamento por portão com corrente limitada e fixação ativa avançada (AAC) que facilita a operação segura e o desligamento suave em condições de falha. AAC em combinação com VDS o monitoramento garante desligamento seguro em menos de 2 µs durante condições de curto-circuito.

Alojados em um pacote compacto eSOP, os novos drivers de porta SIC118xKQ de canal único fornecem até 8 A e se adequam aos MOSFETs SiC com tensões padrão de emissor de porta de +15 V, com várias tensões negativas na faixa de -3 a -15 V. Disponível agora, eles custam US $ 5,39 em quantidades de 10.000 peças. Informações técnicas estão disponíveis no site da Power Integrations.

Família MOSFET de potência expandida segmenta aplicativos automáticos de 48V, híbridos particularmente leves

Antecipando um crescimento significativo nos sistemas automotivos de 48 V, a Infineon Technologies AG está adicionando ao seu portfólio de dispositivos de energia, começando com novos pacotes para seus MOSFETs de 80 e 100 V que atendem aos requisitos mais exigentes dessas aplicações. O foco principal da empresa está nos sistemas dos chamados veículos “híbridos leves”, nos quais a tensão operacional mais alta pode melhorar a eficiência do combustível e reduzir os custos.

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A Infineon cita aplicativos como geradores de partida, comutadores de bateria e conversores dc-dc, onde altas densidades de energia são necessárias como locais ideais para os membros expandidos de sua família de pacotes TOLx. A família é baseada no produto TOLL (TO-Leadless, 10 × 12 mm) estabelecido para PCBs de substrato de cobre padrão e correntes de até 300 A. A família também inclui o pacote TOLG (TO Leads Gullwing Design) com pegada idêntica para metal isolado substratos (IMS) com núcleo de alumínio. Para mitigar o estresse causado pelos diferentes coeficientes de expansão térmica de alumínio e cobre, o pacote TOLG é equipado com cabos de asa de gaivota.

A Infineon planeja expandir o pacote TOLT da família TOLx (TO Leads Top-Side Cooling). Ele permite a dissipação de calor através do resfriamento do lado superior através da parte superior da embalagem, e não através da placa de circuito impresso. Isso permite um aumento de potência de mais de 20% e reduz o esforço de resfriamento necessário na placa. A produção em volume de produtos TOLT está planejada para 2021. Mais informações estão disponíveis em www.infineon.com/automotivemosfet.

PowerBites Diz:

Acredito que a Infineon identificou um importante mercado emergente em sistemas automotivos de 48V, embora eu esteja um pouco preocupado com o fato de os híbridos leves aprimorados retardarem a transição do mercado para veículos totalmente elétricos para a maioria das aplicações leves. Mas eles também facilitarão a próxima geração de “híbridos completos e os EVs mudam para sistemas de 48 V, permitindo que eles se beneficiem das mesmas vantagens de custo e eficiência.

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